本报讯 （记者 郭诗梦）11月18日至21日，第十届国际第三代半导体论坛暨第二十一届中国国际半导体照明论坛在江苏苏州举行。2024年度中国第三代半导体技术十大进展在论坛上公布。其中，西安电子科技大学和西安交通大学的科研成果入选。

西安电子科技大学郝跃院士课题组在6—8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术上实现重大突破。课题组的李祥东教授告诉记者，团队陆续攻克了该类电子器件外延、设计、制造和可靠性等系列难题，成果成功应用于功率半导体系列产品中。

西安交通大学王宏兴教授研究团队成功实现2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底国产化。团队历经10年潜心研发，通过对成膜均匀性、温场、流场及工艺参数的有效调控，独立自主开发了2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底，提高了异质外延单晶金刚石成品率与晶体质量，并成功实现批量化生产。这一创新成果标志着我国在金刚石超宽禁带半导体材料领域的研究已达到国际领先水平，为金刚石的半导体应用奠定了基础。